性能及指标

1、分辨率：高真空模式：1.0nm @15kV，1.4nm @1kV

                  低真空模式：1.5nm @10kV（Helix探测器），

                                     1.8nm @ 3kV（Helix探测器）

2、加速电压：500V~30kV连续可调；

3、电子束流范围：0.6pA~200nA连续可调；

4、样品台移动范围：X=Y=110mm；

5、电子束参数：射束着陆能量：500eV-30keV；

6、标样放大倍数：40倍~60万倍；

7、倾斜角度：-10°~70°

功能及用途

1、采集二次电子、背散射电子等信号对各种固体材料进行的微观形貌分析；

2、对容易污染、容易电荷积累的纳米材料和纳米器件进行观察和分析；

3、可实现固体样品的微观形貌观察和微区能谱成分分析、线分析及面分布分析；

4、配备的背散射探头可获得样品成分衬度图片；

5、配备的低真空探头可对不导电样品进行形貌及成分分析，而不需要进行喷金处理。